PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP Sifat Listrik LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B)

PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisi bahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh lapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalah bahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisi adalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 × 10-1 - 1,4 × 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gas reaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan dengan probe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwa resistansi terkecil sebesar R = 2,73 × 108 Ω, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanan gas 1,4 × 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses diatas merupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).