MODIFIKASI PERMUKAAN FILM CVD INTAN/SILIKON(111) DENGAN IMPLANTASI ION FE + B DAN SIFAT MAGNETIK BAHAN

Modifikasi permukaan film CVD (Chemical Vapor Deposition) dengan substrat Si(111) telah dilakukan dengan teknik implantasi ion Fe + B yang diikuti dengan proses sputering ion gas Argon pada akselerasi energi 20 keV pada dosis ion 1 × 1015 and 1 × 1016 cm-2. Citra STEM (Scanning Transmission Electron Microscope) memperlihatkan adanya pembentukan lapisan Karbon amorf pada lapisan paling atas dari film Intan dengan ketebalan kurang lebih 100 nm untuk cuplikan yang terimplantasi dan tebal 20 nm untuk cuplikan yang tidak terimplantasi. Morfologi dan sifat magnetik permukaan film dikarakterisasi dengan AFM/MFM (Atomic dan Magnetic Force Microscopy). Hasil analisis dengan teknik EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy) memperlihatkan keberadaan atom Boron yang tersebar secara merata di dalam lapisan amorf Karbon dan hal ini bersesuaian dengan citra spektroskopi Raman untuk kedua cuplikan. Sifat magnetik film dapat teramati dengan VSM (Vibrating Sample Magnetometer), sedangkan sifat magnetoresistance bahan diukur dengan teknik Four point probe. Diperoleh hasil bahwa seiring dengan meningkatnya dosis ion pada energi tetap 20 keV, nisbah magnetoresistance berkurang dari positip 45% pada sampel terimplantasi dengan dosis 1x1015 menjadi 8% pada sampel terimplantasi dengan dosis 1 x 1016 ion cm-2. Kata kunci: Film CVD intan, implantasi ion, magnetoresistance, struktur nano