Sintesis dan karakterisasi lapisan silikon porous pada kristal tunggal silikon

Sintesis lapisan silikon porous pada kristal tunggal silikon telah dilakukan. Spesi hidrida dan dihidrida silikon pada permukaan lapisan diamati menggunakan spektroskopi fourier transform infrared (FTIR) sedang mikrostruktur lapisan diamati dengan mikroskop optik dan mikroskop elektron transmisi. Pengukuran cuplikan dengan FTIR dilakukan pada daerah bilangan gelombang dari 500-4000 cm⁻¹, mode vibrasi regangan, scissoring, bending, twisting dan waging dari spesi Si-Hₓ₍ₓ₌₁₋₃₎ teramati pada 2360-2258, 947, 885, 808 dan 611-678 cm⁻¹ dengan memperlihatkan spektrum yang tajam dan kuat. Mode vibrasi regangan dan bending atau rocking dari spesi Si-O-Si ditunjukkan pada 1109 dan 455 cm⁻¹. Spesi kontaminan seperti SiOH, CHₓ₍ₓ₌₁₋₃₎ dan C=0 juga teramati masing-masing pada 4000-3637, 2958-2858, 1460 dan 1716 cm⁻¹. Hasil pengamatan mikrostruktur lapisan dengan mikroskop optik dan mikroskop elektron menunjukkan bahwa permukaan lapisan mengelupas, retak dan memiliki bintik-bintik hitam sementara mikrostruktur bagian dalam lapisan terdiri dari kristalit silikon berukuran nano meter tertanam dalam matrik amorf.