FABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P

FABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P, Pada kegiatan yang lalu telah dilakukan pembuatan detektor tipe gas isian. Radiasi nuklir yang dideteksi adalah alpha, beta, dan gamma. Pada kegiatan kali ini dilakukan penelitian untuk membuat detektor nuklir surface barrier dengan bahan semi konduktor tipe p menggunakan lapisan tipis jendela emas (Au). Metode yang dilakukan adalah dengan cara membuat dua tipe sambungan yang berbeda. Sambungan pertama berupa lapisan doping Li ke dalam semikonduktor silikon. Tipe sambungan ke dua adalah antara LiSi dan Au. Kedua tipe sambungan dilakukan dengan metode RF Sputtering dan DC Magnetron Sputtering. Karakteristik detektor dilihat dari tegangan reverse bias, forward bias, nilai kapasitansi dan pulsa keluaran detektor. Kemudian dilakukan pengukuran daerah sensitif detektor atau daerah aktif. Berdasarkan hasil pengujian dapat dilihat bahwa detektor Au-SiLi yang dibuat telah berhasil dapat mengeluarkan spektrum energi partikel alpha, namun untuk kesempurnaan pembuatan detektor perlu dilakukan penelitian dan analisis lebih lanjut