EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N

EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N.
Telah dilakukan penelitian tentang efek implantasi ion boron terhadap sifat kelistrikan
semikonduktor silikon tipe N. Tujuan penelitian ini adalah untuk memperbaiki sifat kelistrikan
semikonduktor silikon yang meliputi resistivitas keping, kapasitansi dan tegangan dadal, dengan
cara menyisipkan ion-ion boron menggunakan teknik implantasi ion pada energi 40 keV, 80 keV
dan 100 keV, dan variasi dosis dari 1,49 × 1015 ion/cm2 – 17,89 × 1015 ion/cm2. Untuk mengurangi
kerusakan radiasi dan menempatkan ion-ion boron pada letak kisi aktif secara listrik maka
semionduktor silikon yang diimplantasi dengan ion boron dianil pada suhu 900 0C selama 30
menit.. Berdasarkan analisa data hasil penelitian menunjukkan bahwa sifat kelistrikan dari
silikon setelah diimplantasi dengan ion boron ditentukan oleh besarnya dosis dan energi ion. Nilai
resistivitas terkecil pada energi 40 keV adalah 104,53 ohm/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2,
pada energi 80 keV adalah 107,93 ohm/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2, dan nilai resistivitas
terkecil pada energi 100 keV adalah 91,18 ohm/cm2 pada dosis 17,89 × 1015 ion/cm2. Nilai
kapasitansi per satuan luas terbesar pada energi 40 keV adalah 570,33 pF/cm2 untuk dosis 8,95 ×
1015 ion/cm2, pada energi 80 keV adalah 439,39 pF/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2, serta
pada energi 100 keV adalah 590,02 pF/cm2 untuk dosis 17,89×1015 ion/cm2. Tegangan dadal
terbesar pada energi 40 keV dan 80 keV masing-masing adalah 15,13 volt dan 14,82 volt untuk
dosis 8,95 × 1015 ion/cm2, sedangkan tegangan dadal terbesar pada energi 100 keV adalah 22,9
volt untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2.