DEPOSISI LAPISAN a-Si:H:B PADA LAPISAN TIPIS Ag DENGAN SPUTTERING DC UNTUK BAHAN SEL SURYA

DEPOSISI LAPISAN a-Si:H:B PADA LAPISAN TIPIS Ag DENGAN SPUTTERING DC UNTUK
BAHAN SEL SURYA. Telah dilakukan deposisi lapisan a-Si:H:B pada lapisan tipis Ag dengan
teknik plasma sputtering DC. Proses deposisi dilakukan untuk beberapa parameter plasma yang
meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh beberapa
lapisan tipis Ag/a-Si:H:B yang mempunyai sifat listrik yang baik. Variasi waktu deposisi (0,5 s/d 2
jam), tekanan gas (1,1s/d 1,4×10-1 Torr) dan suhu substrat (150 s/d 300 oC), sedangkan aliran gas
reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron
dengan konsentrasi berat (0,02, 0,06, 0,10, 0,14 g). Pengukuran sifat listrik dilakukan dengan
menggunakan probe empat titik dan konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik.
Hasil penelitian menunjukkan bahwa nilai resistansi terkecil sebesar 1950 Ω diperoleh untuk
lapisan tipis Ag/a-Si:H:B yang dideposisikan pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam,
tekanan gas 1,3×10-1 Torr and suhu substrat 200 oC dengan konsentrasi berat boron 0,6g. Dengan
demikian dapat disimpulkan bahwa parameter tersebut diatas merupakan parameter deposisi yang
optimum dalam pembuatan lapisan a-Si:H:B pada lapisan tipis Ag.