PENGARUH PENAMBAHAN BORON PADA LAPISAN INTRISIK TERHADAP KARAKTERISTIK SEL SURYA SILIKON AMORF

PENGARUH PENAMBAHAN BORON PADA LAPISAN INTRISIK TERHADAP KARAKTERISTIK SEL
SURYA SILIKON AMORF. Telah dilakukan penambahan boron pada lapisan tipis intrisik diantara
sambungan P-N dengan mengatur jumlah target pin hole Si mengandung boron. Penelitian ini bertujuan
untuk mengetahui pengaruh penambahan boron pada lapisan tipis intrisik terhadap tegangan terbuka, arus
hubung singkat, faktor pengisian dan efisiensi sel surya. Pembuatan lapisan tipis tipe P dilakukan dengan
menumbuki target utama Si dan pin hole B dengan ion Ar dalam tabung sputtering, lapisan tipis I dengan
target utama Si yang diberi pin hole Si mengandung boron dan lapisan tipis tipe N dengan target utama Si
dan target pin hole P. Untuk mengukur karakteristik sel surya digunakan volt dan ampere meter digital dan
cahaya terkalibrasi cahaya matahari. Dari hasil pengukuran diperoleh tegangan terbuka 360 mV, arus
hubung singkat 4,6 mA, faktor pengisian 0,65 dan efisiensi 3,4 %. Hasil tersebut diperoleh pada kondisi
parameter tekanan gas 1,5 × 10-1 torr, daya RF 185 watt, waktu deposisi 40 menit dan kandungan boron 11
ppm.