OPTIMASI PARAMETER PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO2 UNTUK APLIKASI SENSOR GAS

OPTIMASI PARAMETER PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO2 UNTUK APLIKASI SENSOR GAS. Telah
dilakukan penelitian optimasi parameter pembuatan lapisan tipis TiO2 dengan variabel waktu deposisi dan
suhu subtrat. Untuk waktu deposisi variabel waktunya 1 jam s/d 3 jam dengan interval waktu 30 menit,
sedangkan suhu subtrat dari 250 0C s/d 300 0C dengan interval suhu 5 0C. Disamping itu juga dilakukan
pengukuran resistivitas dari tiap sampel lapisan tipis TiO2. Setelah dilakukan pengujian, maka diperoleh
kondisi optimal paralatan DC sputtering untuk pembuatan lapisan TiO2 yaitu dicapai pada suhu subtrat 250
0C dan lama deposisi 2,5 jam dengan nilai resistansi sebesar 100 MΩ. XRD digunakan untuk mengetahui
strukturnya lapisan TiO2, sedangkan untuk mengetahui respon terhadap gas maka dilakukan dengan
pengukur an resitivitas ketika dialiri gas. Dari hasil percobaan diperoleh bahwa resistivitas optimal 100
MΩ, Sedangkan hasil analisa XRD diperoleh puncak-puncak difraksi pada sudut (2θ): 38,090; 81,350;
55,270 ; dengan orientasi bidang (004) ; (008); (211); dan struktur kristalnya anatase dan paling sensitif
adalah terhadap uap aceton