PENGARUH DAYA RF SPUTTERING DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SnO2 YANG TERBENTUK SEBAGAI BAHAN SENSOR GAS

PENGARUH DAYA RF SPUTTERING DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SnO2 SEBAGAI BAHAN SENSOR GAS. Telah dilakukan penelitian mengenai pengaruh daya RF sputtering dan waktu deposisi terhadap karakteristik bahan lapisan tipis SnO2 yang melipiuti : suhu operasi, sensitivitas, waktu tanggap, struktur kristal, morfologi dan komposisi kimia lapisan tipis. Proses deposisi dilakukan dengan RF Sputtering. Variasi daya dimulai dari 160, 170, 180 dan 190 W dan variasi waktu dimulai dari 25, 30 dan 35 menit dengan mengunakan tegangan elektroda 750 V. Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2 yang terdeposisi mampu mendeteksi gas C2H5OH, NH3, CO dan HNO3 pada suhu operasi 300°C. Bahan tersebut memiliki sensitivitas dan waktu tanggap paling optimal dicapai oleh sampel yang dideposisi dengan daya 180 W selama 30 menit berturut turut senilai 88.64 % dan 1 sekon. Hasil analisis XRD menunjukkan bahwa bahan yang terdeposisi berstruktur tetragonal dengan orientasi (110), (101) dan (211) dengan parameter kisi a = 4,65 Å dan c = 3,12 Å. Analisis menggunakan SEM-EDS menunjukkan bahwa makin besar daya yang digunakan, lapisan tipis SnO2 makin homogen morfologi permukaannya. Perbandingan persentase unsur Sn dan O pada lapisan tipis sebesar 1 : 2,48.