DEPOSISI LAPISAN TIPIS Mo/CuInS PADA SUBSTRAT KACA DENGAN TEKNIK SPUTTERING

DEPOSISI LAPISAN TIPIS Mo/CuInS2 PADA SUBSTRAT KACA DENGAN TEKNIK SPUTTERING. Telah dilakukan deposisi lapisan Mo/CuInS pada substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Target Mo dari bahan plat dan paduan CuInS2 dari serbuk Cu, In, S dengan kemurnian 99,998%. Deposisi dilakukan untuk beberapa variasi parameter proses yang meliputi: waktu deposisi (15 - 45) menit, suhu substrat (150 -300oC) dan tekanan gas (0,9-1,4×10
-1 Torr). Tujuan dari penelitian ini untuk dapat diperoleh parameter proses optimum dalam penumbuhan lapisan tipis Mo/CuInS. Pengukuran resistansi dilakukan
dengan menggunakan probe empat titik dan struktur kristal lapisan tipis yang terbentuk dianalisis dari pola
spektrum XRD, sedangkan morphologi dan komposisi unsur dievaluasi dari foto SEM dan spektrum EDS. Hasil penelitian menunjukkan bahwa resistansi terkecil sebesar 440 Ω. Struktur kristal Mo dan CuInS terorientasi pada bidang (110) dan (112), (213), (305). Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa lapisan tipis komponen sel surya Mo/CuInS telah berhasil ditumbuhkan.

Kata kunci: resistansi, struktur kristal, komposisi unsur, lapisan tipis Mo/CuInS2