Implantasi ION Ag pada sambungan PN untuk pembuatan kontak ohmik

Implantasi ion Ag pada sambungan PN untuk pembuatan kontak ohmik telah dilakukan dengan menggunakan implantor ion 150 keV. Untuk keperluan ini kawat perak (Ag) murni diionisai di dalam sumber ion katode panas. Sebelum diimplantasi, potongan wafer Si (1x1) cm kuadrat dicuci dengan aseton dan alkohol kemudian di etsa dengan larutan CP-4A. Implantasi dari wafer Si dilakukan pada dosis ion dan tenaga maupun suhu anil secara bervariasi. Langkah pertama, dosis ion dilakukan dengan variasi dari 10 pangkat 13 ion/cm kuadat naik sampai 1 pangkat 16 ion/cm kuadrat, tenaga 50 keV, dan suhu anil 500° C selama 30 menit. Pada kondisi ini, didapat kondisi optimum dari variasi dosis dan kondisi optimum, sampel-sampel diimplantasi untuk variasi tenaga, contohnya 10 keV naik sampai 60 keV dan di anil pada 500° C selama 30 menit (langkah kedua). Pada kondisi-kondisi optimum dari dosis ion dan tenaga, sampel-sampel dianil pada variasi suhu, contohnya 300°C naik sampai 850° C selama 30 menit. Kondisi-kondisi optimum dari dosis ion, tenaga dan suhu anil ditentukan dari pengukuran resistivitas-resitivitasnya menggunakan probe 4 titik (FPP 5000). Pengaruh dari kontak ohmik Ag pada karakteristik PN juction dilihat pada pengukuran karakteristik 1-V dari junction (bias maju dan bias mundur) dan juga tegangan dadalnya. Diperoleh hasil bahwa tahanan lapis wafer silikon tipe P turun dengan naiknya dosis ion Ag sampai 5 x 10 pangkat 14 ion/cm kuadrat dan meningkat tajam di atas 5 x 10 pangkat 14 ion/cm kuadrat. Resistansi lapis juga turun tajam dengan naiknya tenaga dan suhu anil. Tahanan lapis minimum dari wafer silikon tipe P dicapai pada dosis ion 5 x 10 pangkat 14 ion/cm, tenaga 50 keV dan suhu anil 750° C. Dari karakterisasi I-V, didapat pada bias maju, tegangan dadal dan arus dadal berturut-turut 26 V dan 21.5 mA: sedangkan untuk bias mundur adalah 10 V dan 6 mA.