PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DIIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SILIKON PADA TENAGA 100 keY TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERKUBUR

PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DlIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR
SIL1KON PADA ENERGI 100 keV TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SI01
TERKUBUR. Telah dilakukan karakterisasipengaruh pembentukan lapisan isolator SiOlterkubur di dalam
semikonduktor silikon type N yang diimplantasi dengan ion oksigen. /mplantasi dilakukan pada energl 100
keVdengandosis 9,7/5 x 1016ion/eml; 2,472 x 1018ion/eml; 1,275 x /019 ion/emldan /,530 xl0'° iOn/eml.
Setelah diimplantasi euplikan dianil pada suhu 1000 °C selama 4 jam. Terbentulcnyalapisan isolator
terkubur diamati resistivitasnya dengan menggunakan me/ode probe empat titik don juga diamali gambar
mi/rronyadon kandungan unsur dengan menggunakan SEM-EDS. Hasil percobaan menunju1ckanbahwa
resistivitas meningkat dengan penambahan do.rision ok.rigen.Teballapisan isolator terkubur berturut-turut
untukdosis 2,472 x 1018ion/eml; 1,275 x 1019ionlcnl dan /,530 x I0'° ion/eml, masing-masing adalah
(2.:t. 0,05) pm; (2,6.:t. 0,04) pm dan (3.:t. 0,03) pm. Kadungan unsur oksigen dalam siUkon untuk dosis
9,715 x 1016ion/eml; 2,472 x 10" ion/cm'; 1,275 x 1019ionlcm'dan 1,530 x/0'° ion/eml, masing-masing
adalah (40,24 .:t.0,77) % atom; (41,24 .:t.0,68)% atom; ( 42,28 .:t.0,70) % atom dan ( 42,75 .:t.0,72)%
atom.