PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANT ASI ION

PEMBUATAN DAN KARAKTERlSASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE
IMPLANTASIION. Telah dilakukan pembuatan don karakterisasi diode berstruktur MIS dengan metode
implantasi ion oksigenpada energi 60 keV.Dosis dopan yang diimplantasikan berturut-turut 9,715Xl 016
ion-cm-', 7,731X 1011ion-cm-', 2,472X JO18ion-cm-', 6,181X JO18ion-cm-' don 1,275X 1019ion-cm-'.
Setelah diimplantasi, cuplikan di anil pada suhu 1000 DCselama 240 menit. Cuplikan diukur resistivitas,
kapasitansi don tegangan dadal MIS dengan karakteristik Vol Tebal SiO, untuk energi ion 60 keV diukur
secara tidak langsung dengan mengukur besarnya kapasitansi dari MIS yang terbentuk. Pada pengukuran
metode V-Ididapatkan tegangan dadal paling besar adalah 15,0 volt don ini dicapai pada dosis 1,275X
JO19ion-cm"', sedangkan teballapisan Silikon dioksida pada dosis 1,275 X JO19 ion-cm-' adalah 0,48 J.l1I1.
Dapat disimpulkan bahwa nilai resistivitas, tegangan dadal don tebal lapisan silikon dioksida akan
semakin besar dengan bertambahnya dosis ion dopan yang diimplantasikanpada target.