Proses pelapisan logam Al dan Au dengan semikonduktor pada pembuatan detektor sawar muka

Diambil dua jenis logam Au dan Al sebagai jendela terobosan radiasi dan satu jenis logam Al sebagai kontak belakang pada pembuatan detektor sawar muka dengan cara kontak logam-semikonduktor. Sebagai bahan semikonduktor diambil silikon tipe P yang punya dua lapis atom pengotor (impurity) kaya dan miskin.Dalam makalah ini dijelaskan mekanisme kontak logam dongan semikonduktor yang mungkin terjadi dan disampaikan hasil pengukuran pengaruh tegangan bias balik terhadap nomor kanal puncak dan resolusi detektor yang dibuat. Dari hasil penelitian yang dilakukan, untuk kontak depan semikonduktor diambil dari logam Al ketebalan (40 ± 25) µg/cm² dan kontak belakang dari logam Al ketebalan (40 ± 25) µg/cm² dihasilkan karakter V-I kontak bersifat penyearah dengan ketebalan diplesi 35 µg, sedang untuk kontak depan dan logam Auketebalan (40 ± 25) µg/cm² dan kontak belakang dari logam AJ ketebalan ((40 ± 25) µg/cm² dihasilkan karakter V-I kontak juga bersifat penyearah dengan ketebalan diplesi 62 µg