STUDI TENTANG PENGARUH "FLUENS" TERHADAP KONSENTRASI PHOSPHOR DAN EFFEKNY A PADA "DARK BAND" DI DALAM Si

STUDI TENTANG PENGARUH "FLUENS" TERHADAP KONSENTRASI
PHOSPHOR DAN EFFEKNYA PADA "DARK BAND" DI DALAM Si. Telah
dilakukan penelitian pengaruh "fluence" terhadap konsentrasi fosfor clan effeknya pacta
"dark band" di dalam silikon pacta CIP di RSG-Serpong dengan bantuan alat SEM clan
perhitungan. P-Si di iradiasi dengan fluence yang berbeda-beda yaitu 4,41 x 1018n em-"
;3,67 x 1018n em-"; 2,94 x 1018n em-" clan 2,2 x 1018n em-". Secara kwalitatif
diperoleh hasil bahwa konsentrasi fosfor adalah 9,0846 x 1014atom/em"; 7,5602 x 1014
atom/em"; 6,0564 x 1014atom/em" daD 4,532 x 1014atom/cm2. Hasil ini menunjukkan
bahwa hubungan konsentrasi fosfor daD "fluens" di CIP tidak linier. Interaksi elektronelektron
dari phosphor terhadap "conduction band" clan "valence band" di diskusikan.
Pengamatan dengan SEM menunjukkan adanya "defect" pacta permukaan silikon,
sehingga mengganggu pengamatan "band" pactapermukaan silikon.