PENGARUH VARIASI DOSIS DAN ENERGI ION FOSFOR TERHADAP RESISTIVITAS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI

PENGARUH VARIASI DOSIS DAN ENERGI ION FOSFOR TERHADAP RESISTIVITAS SILIKON AMORF
TERHIDROGENASI. Telah dilakukan penelitian pengaruh dosis dan energi ion fosfor terhadap resistivitas
silikon amorf terhidrogenasi. Implantasi ion fosfor dilakukan dengan energi dari 10 keV sampai dengan 80
keV, sedangkan dosis ion 1 × 1015 s/d 1,2 × 1016 ion/cm2. Pengujian cuplikan ikatan atom fosfor pada
silikon amorf terhidrogenasi dilakukan dengan spektrometer inframerah dan XRD. Sedangkan pengukuran
resistivitas dilakukan dengan menggunakan metode probe empat titik. Dari hasil analisa dengan spektrum
infra merah diperoleh bahwa ikatan Si-H pada a-Si:H diimplantasi dengan ion fosfor terjadi pada angka
gelombang SiH, SiH2, dan SiH3 pada angka gelombang 2347,2 dan 2395,4 cm-1 merupakan vibrasi regang.
Sedangkan pada angka gelombang 1082 cm-1 merupakan vibrasi regang dari Si-O yang berasal dari Si-O-Si.
Ikatan fosfor pada a-SiH ditunjukkan angka gelombang 420 cm-1, 434 cm-1 dan 476 cm-1 merupakan vibrasi
regang dengan bentuk ikatan Si-P. Banyaknya dosis dan besar energi ion berpengaruh terhadap penurunan
resistivitas a-Si:H. Resistivitas a-Si:H minimum sebesar 1,713 × 10-1 ohm cm diperoleh pada enegi 60 keV,
dosis 6.21 × 1015 ion/cm2.