Evaluasi SEM dari proses etsa kimia bahan InP untuk pengembangan laser dioda GalnAsP/InP

Pada makalah ini diuraikan evaluasi SEM dari proses etsa pola struktur mikro pada bahan InP yang hendak digunakan untuk mengembangkan laser dioda berbasis GalnAsP/lnP. Pembuatan struktur mikro dilakukan dengan alat fotolitografi BKJ-50 menggunakan mask berbentuk stripe lebar antara 10 µm - 1 µm dengan jarak antar strip 200 µm - 1 µm. Sebagai larutan pengetsa digunakan beberapa larutan yaitu campuran HBr, CH₃COOH dan K₂Cr₂O₇ serta Br-Methanol. Hasil proses fotolitograli dan etsa dengan campuran bahan HBr, CH₃COOH + K₂Cr₂O₇ = 1:1:1 (BCK-lll) serta 0.6 % Br-mcthanol, masing-masing, pada substrat InP (100) menghasilkan lajur-lajur berbentuk mesa/groove dengan lebar yang berbeda-beda sesuai pola masker yang dibuat. Profil hasil etsa untuk dua bidang ortogonal (0 1 1) dan (0 I 1) pada substrat InP (100) menggunakan larutan BCK-111 dan Br-methanol telah diperoleh. Plot laju etsa larutan BCK-111 pada substrat InP telah pula diperoleh.